正值建军节当天，美国却把矛头指向了我国的军工企业。美国商务部宣布，BIS（美国商务部工业安全局）以国家安全和外交利益为由，将44家中国企业列入出口管制实体清单，而这44家企业大多为军工研究企业，主要涉及中国航天科学与工业总公司（航天科工）及中国电子科技集团公司（中国电科）旗下部分企业。

这意味着，美国正式对我国部分企业进行高端技术封锁。

众所周知，我国军工企业及高校自1989年年末就在北约国家禁运名单上了。很多人一致认为，经过30年的发展，我国军工企业国产化及自主化程度已很高，对美国的依赖度极低。事实上，负责军品研究与制造的企业，受影响不大，但另外一部分涉及到民用产品的企业却与美国公司有诸多直接或间接的来往。

据《财经》报道，多位相关人士表示，此前美国一直态度模糊，这是第一次明确、公开实施“出口管制”。同时，因为业务范围不同，44家公司受影响程度也不同。同时，报道称，一位国外芯片代理商销售总监表示，一些芯片代理商已经停止向这44家企业发货，而这些企业的备件最多只能周转三个月。

国产替代仍需时日，美国高端技术封锁是否向半导体设备领域蔓延备受关注

尽管此次美国高端技术封锁，涉及到的是中国电科下属的研究所以及研究所下属的公司。但不少业内人士担心技术封锁会延伸到半导体设备或者材料领域。

此前，市场就表现出了对半导体设备被特朗普政府纳入出口管制清单的极度担忧，这种担忧在美国市场与中国市场同样存在。前十大半导体设备厂商中，美国厂商占据了近一半的席位，在我国大力发展半导体产业的背景下，国际半导体设备厂商纷纷表示要助力中国半导体成长，并看好自身在中国市场的机遇；而半导体设备一直是我国最薄弱的一个环节，主要依赖于进口，本土半导体设备厂商市占率仅占全球份额的1-2%。

天风证券研究所研究报显示，当前我国处于中端设备实现突破、初步产业链成套布局的阶段，高端制程/产品仍需攻克，短期内可通过与非美海外企业合作，降低对美国的依赖。

北京半导体行业协会技术研究部部长朱晶曾表示，这44家军工企业的部分业务是长期被技术封锁的，目前影响并不好估计，有很多观点说利好国内设备，但其实国内半导体设备替代的过程相当漫长，所以一旦技术封锁升级到涉及民用业务，受伤害的会是 半导体全产业链，没有一个环节，一个公司可以避开影响。

综合以上观点，寻求国产设备替代仍需一些时间。

那么，我国半导体设备究竟是怎样的水平？美国对我国的高端技术封锁是否会对我国半导体设备/半导体设备厂商产生影响？下面我们就结合天风证券的研究报告来解析一下这些问题。

我国半导体设备发展水平现状

我国半导体设备厂商起步晚，整体规模较小。根据中国电子专用设备工业协会的统计，2016年我国前十大半导体设备厂商共完成销售48.34亿元人民币，与国内设备市场规模相距甚远。2017年体量最大的中电科和晶盛机电营收在10亿元左右体量徘徊，我们估算国内设备销售额总量占世界半导体销售规模仅2%左右。

半导体设备类型极其繁多，可按照工艺流程可分为晶圆制造设备、测试设备、封装设备、前端相关设备四大类，其中，晶圆制造设备又可分为8类。赛迪顾问股份有限公司副总裁李珂曾表示，我国设备仅在部分品种实现了单点突破，等离子刻蚀机、MOCVD、清洗剂等设备已实现国产化，但尚不具备面向先进工艺的成套工艺能力。

天风证券研究数据表明，国产设备已形成初步产业链成套布局，部分设备实现批量应用，预计部分设备在短期1-2年內可逐步实现订单转移。目国内设备在关键领域实现了产业链成套布局——曝光Liho、刻蚀ETCH、薄膜CVD、湿法WET、检测、热处理、测试等环节，且部分工艺制程能够满足国内客户的需求，目前已有多项产品已经批量出货，其中主要的厂商有北方华创、中微半导体、 睿励科仪和上海盛美半导体等。

此外，由上图可以看到我国在光刻机等领域，技术节点要落后国际先进水平很多。天风证券研究数据显示，目前世界半导体设备研发水平处于12英寸7nm，生产水平达到12英寸14nm；而我国设备研发水平还处于12英寸14nm，生产水平为12英寸65-28nm。总体来看，国产设备在先进制程上与国际先进水平有2-6年的时间差；具体来看，65/55/40/28nm光刻机、40/28nm的化学机械抛光机国产化率依然为0，28nm化学气相沉积设备、快速退火设备、国产化率很低。

我国半导体设备落后的原因是多方面的，并非是设备厂商自身的原因，大家都知道精密的设备需要精密的组件，而精密的组件又需要精密的设备来制作，因此产业链的协同发展是半导体设备取得突破的关键。目前看，半导体设备尤其是高端半导体设备，即便是自主化的设备，很多关键零部件与流程设计仍掌握在美日韩欧的企业手中。

将天风证券研究汇总的半导体设备国内主要参与者与被列入管制名单的44家企业进行比对，可发现这些参与者并未被列入新增的出口管制实体清单。这在一定程度上说明，这些企业在关键零部件与流程设计上或许被未被严格“扼杀”。

目前看，我国在中端设备领域，已经实现了从无到有的突破。但光刻机领域，一直是我国的一个最大短板，国产化率极低，且高端的EUV光刻机只能从ASML采购。

2008年之前我国半导体设备基本全靠进口，随后我国通过设立“02专项”实现了部分设备的国产化，缩小了与国际领先水平的差距——介质刻蚀机方面：中微半导体进入7nm制程，成为台积电五大供货商之一；硅刻蚀机方面，北方华创进入中芯国际28nm生产线；沈阳拓荆量产12英寸65nm的PECVD设备等。封装制程工艺设备：刻蚀机、 PVD、光刻机、清洗机等关键设备已经基本实现国产化，根据SEMI的数据显示，蚀刻设备国产化率从10年0%提升到16年的96%，封装PVD设备从12年0%提升到16年的68%。

可见，我国在自主半导体设备尤其是光刻机及相关配套设备的推进过程中，是极其艰难的。