在推进DRAM的制造技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。10月21日，SK海力士宣布了开发基于第三代1Z纳米（10nm）工艺的DDR4动态随机存储器（DRAM），称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16GB，即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的DRAM中最大。

单晶圆加工适合微型车操作，使用氟化氢和臭氧水的单晶片旋转处理技术的应用主要适应开发人员转向minifab操作，其中可能需要更短的循环时间，预计单晶片加工需求的增加将推动市场。