如果说以硅为代表的第一代半导体是集成电路的基石，第二代半导体如砷化镓促成了信息高速公路的崛起的话，那么第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。

第三代半导体材料即宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev)，主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)，较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。

目前，很多公司已在第三代半导体领域看到商机，正紧锣密鼓地布局第三代半导体产业。下面为近期的第三代半导体项目大事件：

项目一：氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究项目

10月18日，北大、清华等14家单位共同承担的 “氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目正式启动，同时，该项目还是“战略性先进电子材料”研发计划的一个重点专项。

项目二：中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目

11月5日，中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目开业运营。该项目总投资2.5亿元，以研发、生产、销售砷化镓衬底材料为主，配套建筑面积约1.7万平方米，建设有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化镓衬底材料大规模生产线，规划年产砷化镓单晶片折合4英寸200万片。

项目三：聚力成半导体氮化镓项目

11月13日，聚力成半导体(重庆)有限公司在重庆大足高新区举行奠基仪式。该项目占地500亩，拟投资50亿元人民币，在大足打造集氮化镓外延片制造、晶圆制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。

项目四：天岳碳化硅材料项目

11月13日，天岳碳化硅材料项目也在当日开工，总投资30亿元，分为两期建设，一期占地156亩，主要生产碳化硅导电衬底，预计年产值可达13亿元;二期主要生产功能器件，包括电力器件封装、模块及装置，新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等，预计年产值可达50～60亿元，税收可达5～7亿元。

       近年来，随着国家和各地方政府陆续推出政策和产业扶持基金发展第三代半导体相关产业，三安光电、扬杰科技、国民技术、海特高新等多家上市公司均已陆续开始布局第三代半导体业务。可以想象，在不久的将来，第三代半导体会成为下一个“关键词”。