目前，中国大陆的存储产业仍处于刚刚起步阶段。虽然，紫光旗下的西安紫光国芯之前就有DDR3、DDR4内存颗粒生产，不过技术来源还是已经破产的奇梦达，并不能算是自主技术。

国内目前有三大存储芯片基地，分别为福建晋华、合肥长鑫和长江存储。从产品定位上来看，福建晋华和合肥长鑫聚焦DRAM，而长江存储则聚焦3D NAND，分工和目标都比较明晰，并且预计将在2019年实现产能集中释放。

然而10月底美国商务部的一纸禁令，打乱了中国存储产业国产化的节奏，福建晋华也是“命悬一线”！

虽然所福建晋华被禁，但是从目前阶段来看，合肥长鑫和长江存储并没有受到很大影响，存储芯片国产化的进程也在逐步推进。

在DRAM存储方面，合肥长鑫8Gb LPDDR4已经正式投片，而这也被认为是国产DRAM产业的一个里程碑。据了解，合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

按照进度规划，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

此外，在3D NAND存储方面。继32层3D NAND于2018年年底前投入量产之后，又有业界人士透露长江存储Xtacking™架构的64层NAND样品，已经送至合作伙伴进行测试，读写质量大致稳定，预计最快将在2019年第3季投产。长江存储更计划在2020年跳过96层3D NAND，直接进入128层堆叠。业界预计2020年推出的128层堆叠可直接与国际大厂展开竞争。

 长江存储CEO杨士宁博士曾在CFMS2018峰会上表示，长江存储在 NAND Flash上投入了很多研发和生产精力，3D NAND的研发也是建立在这个基础之上，并于2015年和美国合作伙伴签订了联合研发协议研发 3D NAND芯片，而采用Xtacking™架构的64层3D NAND 跟传统架构的96层相比，容量仅低15%。

现在长江存储64层3D NAND已经送样，2019年第3季将可投产。在产能方面，长江存储武汉存储基地一期已经投入生产，原本该工厂计划的是一个10万片产能的平面一层工厂，但实际可以做到15万。为了进一步扩大生产规模，武汉存储基地二期和紫光成都存储器制造基地已经开工，正在不断扩大生产规模。

在应用方面，11月7日，在第五届世界互联网大会上，紫光集团发布了内置中国首颗存储芯与紫光安全芯片的安全移动存储产品—紫光新一代隐式指纹安全U盘，这款产品由紫光集团旗下“芯云战略”核心企业紫光存储联合长江存储、紫光国微隆重推出。

据了解，紫光新一代隐式指纹安全U盘搭载的三维闪存颗粒即此前备受瞩目的中国首颗长江存储芯，实现了中国存储芯片“零”的突破。之前芯师爷在与紫光工作人员沟通过程中也获悉，虽然国内存储芯片已经具备了制造能力，但是面临的挑战非常大，想要从国外三巨头中争夺市场也不容易，U盘应用是一个很好的尝试。

对此，芯师爷则认为，国产U盘的推出意义重大，代表了我国存储行业已经具备研发、制造及生产的能力。但是接下来如何在技术方面追赶和国产替代，还需要慎重考虑，特别是在这样的敏感时期。

进入2018年下半年，全球半导体产业进入下行期，但是存储行业仍保持增长态势，仅是增长幅度有所降低。从产业规模上来看，存储产业仍占据半导体产业大部分市场份额。

日前，IC Insights发布了2018全球TOP15半导体厂商排行榜，三星预计以832.58亿美元的营收坐稳第一，SK Hynix则挤下台积电成为新的第三，其全年营收将达到377.3亿美元，同比大涨41%，是TOP15公司中增速最高的。而美光公司也以318.06亿美元，占据第五位，营收同比也增长了33%。

来源：IC Insights

不管是营收排名还是增速方面，2018年TOP15半导体销售排名中，存储芯片领域的厂商依然是最大赢家，对于全球半导体产业发展具有重要影响。然而伴随着整个产业的变化，存储行业也进入了价格调整期。

近日，市场研究机构DRAMeXchange指出，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响将导致价格跌幅剧烈。

因英特尔14纳米x86 CPU 产能短缺，比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，加上3D NAND闪存转到96层及DRAM内存转到19纳米以下制程工艺的产能增加。预估明年内存DRAM和闪存NAND将会有3-5%的供过于求，价格下行趋势确立。

虽然存储器价格下行趋势确立，但业内人士预估此次下行趋势应不超过18个月，英特尔14纳米x86 CPU 短缺状况应会于明年中之前改善，10纳米x86 CPU应于明年下半年量产，AMD 7纳米x86 CPU, 7纳米挖矿机及智能手机，5G手机等都将于明年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响。

而从企业方面来看，三星已经减缓了3D NAND闪存产能的扩充，新的生产线要推到明年上半年才会上线，同时暂停了在韩国华城、平泽新建1ynm DRAM内存芯片工厂的计划。而SK海力士也同样大大推迟了3D NAND闪存芯片产能扩充的计划。

韩国贸易协会、大韩贸易投资振兴公社及半导体行业发布数据称，2017年中国存储芯片进口总额达886.17亿美元，同比增长38.8%。其中，韩国产芯片的进口规模达463.48亿美元，同比大增51.3%，在总进口中占52.3%。

此外，2018年第一季度，中国存储芯片进口额达146．72亿美元，同比猛增75．4％。同时，大视频时代流量爆发，而大陆是全球最大的数据生产国和消费国，云存储芯片需求量快速爆发。中国大陆拥有相当数量的互联网公司、终端品牌和电子产业链,有望引领终端应用创新。

另外，对于美光而言，中国市场也是不可或缺的一块。根据2017年年报显示，美光科技约有50%的营收来自于中国市场。在营收数据上，美光科技2017年在中国的销售额高达104亿美元（约合690亿元人民币）。

也正式因为这一点，在福州市中级人民法院7月裁定，美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定，美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品之后，爆发了文章开始部分提到的晋华事件。

近日，台积电创办人张忠谋表示联电、晋华遭到美法院起诉的案子，已进入司法程序，相信此案是个案，绝对不代表台湾地区芯片厂商。

而据深科技报道，长江存储已做好万全准备，包括正在量产的3D NAND 技术有美国半导体大厂 Cypress 的技术授权作保护伞。当初是武汉新芯向 Cypress 取得该技术，之后武汉新芯再并入长江存储。另一方面，长江存储也不断延揽有经验的律师团做幕后顾问，这一切都是在防患于未然。

从目前发展来看，晋华被禁事件很大可能不会波及合肥长鑫和长江存储，还停留在司法层面，但是后面也不排除出现其他方式的可能。

在晋华被禁事件之后，相关方福建晋华和联华电子先后发表了声明，但之后相关进展情况一直没有披露。而在短暂的沉寂之后，该事件又有了新的变化。

今天，国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国表示，今年5月底市场监管总局对三星、海力士、美光公司涉嫌实施垄断行为立案开展调查，立案调查以来，三家公司的相关负责人也到市场监管总局反垄断局就案件进行沟通，反垄断局也向三家公司通报了案件的调查情况。目前，对这三家公司的反垄断调查已经取得了重要进展。

吴振国称，根据举报，今年5月底市场监管总局对三星、海力士、美光公司涉嫌实施垄断行为立案开展调查，从三家公司调查获取了大量证据资料。随后，又对数十家下游企业开展了调查取证，并对取得的证据资料进行梳理和甄别。立案调查以来，三家公司的相关负责人也到市场监管总局反垄断局就案件进行沟通，反垄断局也向三家公司通报了案件的调查情况。

目前，对这三家公司的反垄断调查已经取得了重要进展，下一步反垄断局将对案件的相关市场界定、市场支配地位的认定、市场支配地位的行为定性等方面开展研究论证，依法做好案件调查处理工作，维护市场公平竞争，保护消费者利益。

从上面的表态可以看出，国家市场监督管理总局对于三星、海力士、美光公司反垄断调查仍在持续推进，而这势必也会对晋华事件未来走势带来影响。