下面由无锡奥曼特为大家普及一下半导体污染物杂质的分类：

    半导体制备需要有一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程中总是在人的参与下在超净间进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。

（1）颗粒

颗粒主要是一些聚合物，光致抗蚀剂及蚀刻杂质等。通常的颗粒粘附在硅表面，影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方面对颗粒进行底切，逐渐减少颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。

（2）有机物

有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂，净化室的空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。每种污染物对IC的制备过程都有不同程度的影响，通常在晶片表面形成有机薄膜阻止清洗液到达晶片表面，因此有机物的去除常常在清洗工序的第一步进行。

（3）金属污染物

IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积（CVD）形成金属互连膜，如Al-Si、Cu等，通过蚀刻产生互连线，然后对沉积介质层进行化学机械抛光（CMP）。这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过程，在形成金属互连的同时，也产生各种金属污染。必须采取相应的措施去除金属污染物。

（4）原生氧化物及化学氧化物

硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层，称为原生氧化层。硅晶圆经过SC-1和SC-2溶液清洗后，由于双氧水的强氧化力，在晶圆表面上会生成一层化学氧化层。为了确保闸极氧化层的品质，此表面氧化层必须在晶圆清洗过后加以去除。另外，在IC制程中采用化学汽相沉积法（CVD）沉积的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相应的清洗过程中有选择的去除。

    由上可以看出半导体污染物杂质有四类，那么可以看出半导体污染物杂质的清洗很重要，位于江苏无锡硕放空港产业园无锡奥曼特科技有限公司专业生产全自动半导体甩干机，联系电话：15995260361  公司网址：www.wxamt.com