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于燮康:中国半导体崛起势在必行

作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2019.12.18
信息摘要:
12月13日,在2019中国(珠海)集成电路产业高峰论坛上,中国半导体行业协会副理事长于燮康作了主题为《中国半导体崛起势在必行》的演讲。

1213日,在2019中国(珠海)集成电路产业高峰论坛上,中国半导体行业协会副理事长于燮康作了主题为《中国半导体崛起势在必行》的演讲。

于燮康表示,中国半导体产业发展历程大致经历了1956-1978年的初创建设阶段,1979-1999年的调整发展阶段,2000-2008年的较快发展阶段,2009-2020年的全面发展阶段,2020-2035年的创新腾飞阶段。

在演讲中,于燮康谈到了我国集成电路发展中两大重要工程“六五工程”与“九0八工程”。

于燮康认为“六五工程”的成功有6点启示,国家集成电路“九0八工程”则引发了一系列思考。

“六五工程”的成功启示包括,举国重视,以我为主,自主建设,是工程成功的前提;集中优势人才打硬仗模式工程成功的保障;良好的产业政策;引进一项目,受益全行业,促进国产化;工程成为人才孵化平台、成为我国集成电路行业重要的人才基础;一家引进,成果共享,促进集成电路产业发展。

国家集成电路“九0八工程”也带来了几点思考,即“竣工即落伍”、“投资及财税体制问题”与“研发生产脱节”。具体来看,竣工即落伍意味着项目十年磨一剑,竣工投产落后国际五个世代,投产及进入巨额亏损,导致错失发展机遇。

投资及财税体制问题则是当时优惠政策取消、增值税并轨、拨改贷投资体制、新项目投资自筹比要求、投资强度弱于产业要求、拨款节奏与考核机制问题。

而研发生产脱节则意味着科研生产严重脱节,使工程失去了产品支撑。

于燮康表示,芯片制造是所有制造业里最为复杂,最有科技含量的制造。当谈及后续集成电路的发展,于燮康认为未来有三个发展方向:延续原有的CMOS技术的发展概念,透过SiP3D)封装新技术,脱离原有以硅为基础的CMOS元件制程。

此外,于燮康还介绍了我国集成电路产业的发展现状。

目前,设计方面,我国集成电路处于中低端水平,但细分领域有技术亮点,与国际先进水平的差距主要体现在CPU、存储器、FPGAAD/DA等高端芯片,但涉及的门类基本齐全。

制造方面,我国集成电路制造水平落后国际水平两代以上,20187nm量产,目前5nm3nm都在开发中。

在封测领域,我国已进入发展成熟期,市场规模增速和技术均有所放缓,在发展趋势上,出现了2D封装向3D封装发展,传统封装向先进封装发展的特点。

在材料与设备领域,我国与国际先进水平则有很大差距,材料与设备领域是集成电路产业最薄弱环节,但我国集成电路材料企业不断取得突破,靶材等已进入先进制程。

于燮康表示,未来全球市场与国内市场的竞争将更为激烈,但在复杂的形式下,中国半导体产业崛起势在必行。

 

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