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奥曼特解析半导体硅片的清洗原则
作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2018.08.21
信息摘要:
半导体硅片清洗的原则一般有哪些?今天无锡奥曼特小编为您介绍一下半导体硅片清洗的原则:硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污;然后溶解氧化…

半导体硅片清洗的原则 一般有哪些?今天无锡奥曼特小编为您介绍一下半导体硅片清洗的原则:

硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污;然后溶解氧化层(因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷);最后再去除颗粒、金属沾污,同时使表面钝化。

清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能:

1)去除硅片表面的污染物。溶液应具有高氧化能力,可将金属氧化后溶解于清洗液中,同时可将有机物氧化为CO2H2O

2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。这就要求硅片表面和颗粒之间的Z电势具有相同的极性,使二者存在相斥的作用。在碱性溶液中,硅片表面和多数的微粒子是以负的Z电势存在,有利于去除颗粒;在酸性溶液中,硅片表面以负的Z 电势存在,而多数的微粒子是以正的Z电势存在,不利于颗粒的去除。

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